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    碳化硅基本性能解析

    時間:2021-05-10 瀏覽:737次

    碳化硅基本性能解析

    碳化硅是用石英砂、石油焦、木屑等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

    雖然,經過近幾年的發展,人們對于碳化硅并沒有很陌生,但也只是簡單的了解一些關于碳化硅的基本信息,具體的信息還不是很了解。為了幫助大家更了解碳化硅,豐帆硅業給大家做出了以下詳細解答,希望對大家有所幫助!

    碳化硅的基本性能包括化學性質、物理機械性能、電學性質以及其他性質(親水性好,遠紅外輻射性等)。

    化學性質包括抗氧化性,耐酸堿性。

    抗氧化性:當碳化硅材料在空氣中加熱到1300℃時,在其碳化硅晶體表面開始生成二氧化硅保護層。隨著保護層的加厚,阻止了內部碳化硅繼續被氧化,這使碳化硅有較好的抗氧化性。當溫度達到1900K(1627℃)以上時,二氧化硅保護膜開始被破壞,碳化硅氧化作用加劇。

    耐酸堿性:在耐酸、堿及氧化物的作用方面,由于二氧化硅保護膜的作用,碳化硅的抗酸能力很強,抗堿性稍差。

    物理機械性能包括密度,硬度以及導熱率,

    密度:各種碳化硅晶形的顆粒密度十分接近,一般認為是3.20g/mm3,其碳化硅磨料的自然堆積密度在1.2-1.6g/mm3之間,其高低取決于粒度號、粒度組成和顆粒形狀。

    硬度:碳化硅的莫氏硬度為9.2,威氏顯微密硬度為3000—3300kg/mm2,努普硬度為2670—2815kg/mm,在磨料中高于剛玉而僅次于金剛石、立方氮化硼和碳化硼。

    導熱率:碳化硅制品的導熱率很高,熱膨脹系數較小,抗熱震性很高,是質優的耐火材料。

    電學性質,常溫下工業碳化硅是一種半導體,屬雜質導電性。純度高的碳化硅隨著溫度的升高電阻率下降,含雜質碳化硅根據其含雜質不同,導電性能也不同。碳化硅的另一電性質是電致發光性,現已研制出實用器件。

    針對于碳化硅的基本性能就介紹到這里,希望這些信息能夠加深您對于碳化硅的了解,此外,如果您還有哪些地方不是很明白,歡迎登錄我公司網站查閱相關信息,或是直接撥打我公司熱線電話咨詢了解,我公司將為您詳細講解。

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